8月3 日三星电子(Samsung Electronics)跳电对于所有存储器厂商来说，可算是投下一个超级震撼弹，而正当所有人均开始认为这无论对NAND型快闪存储器 (Flash)或是标准型DRAM均有促涨的作用，不过经过了几天的「疯狂」涨价后，却发现厂商的涨价行为反而对市场造成不利影响，原因在于一旦标准型DRAM或是NAND Flash价格涨幅过快，下游客户可能到头来将面临到「卖不动」状况。

三星事件发生到现在虽已有一段时间，而到目前为止就连三星本身也可能没办法对于整体事件做出较为完整的评估报告，不过倒是外界无论是市场分析师、媒体、三星下游客户、以及三星竞争对手均已展开一系列的自我估算动作，而之所以会有这样的动作，也是无可厚非，原因在于正所谓「知己知彼、百战百胜」，但重点是三星跳电所带来的后续效果是福还是祸，到现在还是没有办法做出最后判断。

三星跳电事件后，几乎所有业者都到处询问那里可买到NAND Flash或是标准型DRAM，深怕一旦出手太晚，到最后便需面临到价格快速飙涨、但却还是必须追价买货的命运，也因此3日下午所有可以卖货的晶圆厂，通路商，盘商等均对外放出风声，表示未来价格还会再向上调整，进而闭门不再报价。

事实上，NAND Flash或标准型DRAM价格也如预期的飙涨上来，但也正因为这样的涨价让部分下游DRAM模块厂看在眼里感到忧心忡忡，因为价格的涨与跌，到头来还是必须取决于最终消费者买不买单，人为操纵只能短期的影响价格波动！

这1~2天价格涨幅已明显缩小，甚至部分产品报价更已开始出现下跌状态，原因在于价格一旦飙涨过于快速，下游客户根本不敢再进场追价买货，因为终端成品市场无法接受高涨的价格，这时开始进场买货，岂不是拿了一块石头往自己脚上丢下去？到头来还要烦恼这些买到最高点的货源需如何处理。

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